Características

• Marca: Kingston;
• Modelo: KVR26N19S6/4.

Especificações

• Frequência de operação: 2666Mhz;
• CL (IDD): 19 ciclos;
• Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.);
• Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.);
• Row Active Time (tRASmin) 32ns (min.);
• Potência Máxima de Operação TBD W*;
• Classificação UL 94 V - 0;
• Temperatura de operação 0oC a +85oC;
• Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC.

*A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM

Características / Benefícios

• Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico;
• VDDQ = 1,2 V Típico;
• VPP = 2.5V Típico;
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V;
• Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara;
• Auto-atualização de baixa potência (LPASR);
• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados;
• Geração e calibração VREFDQ no DIE;
• Single Rank;
• EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2;
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada;
• Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS);
• BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF);
• Topologia fly-by;
• Comando de controle e barramento de endereços com terminação;
• PCB: Altura 1,18 (30,00 mm);
• Em conformidade com RoHS e sem halogênios.

Conteúdo da embalagem

• 01 Memória Ram Kingston 4GB 2666Mhz 1.2v DDR4 CL19 - KVR26N19S6/4

Garantia

• 1 ano de garantia (9 meses de garantia contratual junto ao fabricante + 3 meses referentes à garantia legal, nos termos do artigo 26, II, do Código de Defesa do Consumidor).

Peso

• 30 gramas (bruto com embalagem).