Especificações

• CL(IDD): 11 ciclos;
• Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (mín.);
• Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.);
• Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.);
• Consumo de energia :2.376 W*;
• UL Rating: 94 V - 0;
• Temperatura de Operação: 0oC a 85oC;
• Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC;
• *O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso.

Caracteristicas

• Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V);
• VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V);
• 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin;
• 8 bancos internos independentes;
• Latência CAS Programável:11, 10, 9, 8, 7, 6;
• Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock;
• 8-bit pre-fetch;
• Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS];
• Data Strobe Diferencial bi-direcional;
• Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%);
• Terminação no Die usando o pino ODT;
• Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C;
• Reset assíncrono;
• PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados;